空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件
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摘要

本发明提供了一种空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件。所述空穴传输材料的分子结构的主链中具有螺蒽芴结构,其分子结构的支链结构中具有芳基或杂芳基结构。本发明中所提供的空穴传输材料能够有效提高有机材料的空穴注入和传输性能,从而改善电致发光器件的电子和空穴平衡,达到较低的电压和较高的效率。

基本信息
专利标题 :
空穴传输材料及其制备方法、电致发光器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112574045A
申请号 :
CN202011442468.8
公开(公告)日 :
2021-03-30
申请日 :
2020-12-08
授权号 :
CN112574045B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
王彦杰罗佳佳白科研
申请人 :
武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室
代理机构 :
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 :
张晓薇
优先权 :
CN202011442468.8
主分类号 :
C07C211/61
IPC分类号 :
C07C211/61  C07C209/10  H01L51/54  C07D307/91  C07D265/38  
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IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C07
有机化学
C07C
无环或碳环化合物
C07C211/00
含有与碳架连接的氨基的化合物
C07C211/43
有与碳架的六元芳环的碳原子连接的氨基
C07C211/57
氨基连接在属于碳架的稠环系部分的六元芳环的碳原子上
C07C211/61
用3个或更多环构成的至少1个稠环系
法律状态
2022-04-01 :
授权
2021-04-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07C 211/61
申请日 : 20201208
2021-03-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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