电子传输材料及制备方法、光电器件及其制备方法
公开
摘要
本申请属于材料技术领域，尤其涉及一种电子传输材料的制备方法，包括以下步骤：将钛源、稀土金属源和硫源溶解后，进行水热反应，得到掺杂有稀土金属的TiS2纳米材料；在氢气气氛下，对所述掺杂有稀土金属的TiS2纳米材料进行加热反应，得到掺杂有稀土金属和氢原子的TiS2电子传输材料。本申请电子传输材料的制备方法，工艺简单，适用于工业化大规模生产和应用，制得的稀土金属和氢原子双掺杂的TiS2电子传输材料，通过稀土金属和氢原子的协同共掺杂，可有效调节TiS2材料的禁带宽度和导电性能，使掺杂有稀土金属和氢原子的TiS2材料有更好的n型半导体特性，更适用于光电器件的电子传输材料。
基本信息
专利标题 ：
电子传输材料及制备方法、光电器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335397A
申请号 ：
CN202011083082.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何斯纳吴龙佳吴劲衡
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
曹柳
优先权 ：
CN202011083082.2
主分类号 ：
H01L51/54
IPC分类号 ：
H01L51/54 H01L51/50 H01L51/56 B82Y30/00
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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