电子传输材料及制备方法、光电器件
公开
摘要
本申请属于光电器件技术领域，尤其涉及一种电子传输材料，所述电子传输材料具有核壳结构包括：ZnO核，以及包覆所述ZnO核的ZrO2壳层。本申请电子传输材料具有核壳结构，宽带隙半导体ZrO2壳层，可提高了核壳结构纳米晶复合材料的稳定性，有利于电子的传输。同时，当电子传输材料应用于光电器件时，ZrO2的宽带隙可以有效的阻挡空穴从发光层传输到阳极，从而使电子和空穴在发光层中有更高的复合效率。并且，ZrO2壳层可以填补ZnO表面的氧空位，减少ZnO表面的氧空位，从而降低ZnO表面氧缺陷的形成，减少电子空穴对的辐射组合，提高电子传输性能，增强器件的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
电子传输材料及制备方法、光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388714A
申请号 ：
CN202011107436.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何斯纳吴龙佳吴劲衡
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
曹柳
优先权 ：
CN202011107436.2
主分类号 ：
H01L51/54
IPC分类号 ：
H01L51/54 H01L51/56 H01L51/50 B82Y30/00
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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