电子传输材料、其制备方法和光电器件
公开
摘要
本申请属于光电器件技术领域，尤其涉及一种电子传输材料，所述电子传输材料具有核壳结构，包括ZnO核以及包覆所述ZnO核外的贵金属壳层。本申请电子传输材料具有核壳结构，其中，贵金属壳层的修饰使ZnO的表面缺陷减少，抑制ZnO表面缺陷对载流子的俘获，从而提高ZnO内核的电子传输性能。并且，贵金属壳层的形成相当于构筑了一条受激电子从电子传输材料向量子点发光材料快速有效转移的通道。同时，贵金属壳层具有表面等离子共振的特性，当电子传输材料应用于光电器件时，通过其表面等离子共振效应可以诱导局部电磁场增强，从而增大光的输出耦合以及复合发光速率，有效地提升器件的发光效率，从而提高QLED等光电器件的光电性能。
基本信息
专利标题 ：
电子传输材料、其制备方法和光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388712A
申请号 ：
CN202011107189.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何斯纳吴龙佳吴劲衡
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
曹柳
优先权 ：
CN202011107189.6
主分类号 ：
H01L51/54
IPC分类号 ：
H01L51/54 H01L51/50 H01L51/56 B82Y30/00
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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