空穴传输材料及其制备方法、光电器件
公开
摘要
本申请属于光电器件技术领域，尤其涉及一种空穴传输材料及其制备方法，以及一种光电器件。其中，空穴传输材料包括结合有亲核基团和/或亲电基团的二维烯半导体材料，所述二维烯半导体材料的HOMO能级为‑5eV～‑4.5eV。本申请空穴传输材料，不但具有强的自旋‑轨道耦合和一定的带隙，表现出优越的半导体特性，载流子迁移性能高；而且材料的HOMO能级与量子点发光层的空穴注入匹配，进一步提升了空穴的传输效率，化了空穴功能层与发光层之间的势垒，更有利于空穴注入到发光层中，提高发光层中电子与空穴的复合效率。
基本信息
专利标题 ：
空穴传输材料及其制备方法、光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497398A
申请号 ：
CN202011164506.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴劲衡何斯纳吴龙佳
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
曹柳
优先权 ：
CN202011164506.8
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 C07F7/02 C01B33/02 C01B32/194
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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