冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制...
授权
摘要
一种冠醚类材料掺杂Spiro‑OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用，属于太阳能电池技术领域。所述空穴传输层为冠醚类材料掺杂的Spiro‑OMeTAD，其中，冠醚类材料与Spiro‑OMeTAD的摩尔比为(0.0003～0.0093)：1。本发明提供的空穴传输层，与未掺杂的空穴传输层相比，冠醚类材料能够与Li+形成大环螯合结构，促进Li‑TFSI在有机溶剂(氯苯、氯仿等)中的溶解，能够有效阻止Li‑TFSI的聚集；此外，这样的螯合结构能够有效改善Li‑TFSI的吸湿性以及有效抑制Li+迁移到钙钛矿太阳能电池的其他层；同时，工艺简单，制备的太阳能电池在保持光电转换效率的同时稳定性大大提升。
基本信息
专利标题 ：
冠醚类材料掺杂Spiro-OMeTAD的空穴传输层及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112216797A
申请号 ：
CN202011072519.2
公开（公告）日 ：
2021-01-12
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
CN112216797B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
万中全杨进宇罗军生贾春阳
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
吴姗霖
优先权 ：
CN202011072519.2
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/46 H01L51/48
相关图片
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-01-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/42
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2021-01-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN112216797A.PDF
PDF下载
