改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明介绍一种改进的P型半导体合金薄膜和采用这种薄膜的光生伏打和光敏器件及其射频和辉光放电制备法。用含硅烷和硼的化合物的辉光放电淀积硅半导体合金薄膜。硼以单原子形式掺入硅基质。这种P型薄膜的特点是稳定、带隙未变窄、体应力降低、结构和生长状况及附着性得到改进并且减少了剥皮和龟裂。本征层的特点是降低了Staebler-Wronski衰退。在辉光放电中未形成高序硼氢化物和其它硼的聚合物或低聚物。
基本信息
专利标题 ：
改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108824A
申请号 ：
CN85108824.4
公开（公告）日 ：
1986-08-06
申请日 ：
1985-11-04
授权号 ：
CN1008574B
授权日 ：
1990-06-27
发明人 ：
杨志忠拉尔夫·莫尔斯蒂芬·赫金斯安妮特·约翰科克
申请人 ：
能源转换装置公司
申请人地址 ：
美国密执根州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85108824.4
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L31/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1993-09-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-03-13 ：
授权
1990-06-27 ：
审定
1987-08-26 ：
实质审查请求
1986-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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