半导体材料掺杂用扩散装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体材料掺杂用扩散装置，包括气体输送管路以及扩散反应腔。所述气体输送管路上配置有控制组件，所述控制组件被设置成用于控制所述气体输送管路输送气体的流量；所述扩散反应腔连通所述气体输送管路，所述扩散反应腔内设置有载样台以及扩散部件，所述扩散部件被设置为用于将所述气体输送管路输送的气体引入到所述扩散反应腔内的载样台上，以使气体在被加热的样品表面发生扩散反应。本实用新型的半导体材料掺杂用扩散装置，其相比MOCVD扩散设备，具有结构简单、易于小型化以及可低温扩散的优点，相比石英闭管扩散设备，具有多片、大尺寸晶圆扩散能力的优点。
基本信息
专利标题 ：
半导体材料掺杂用扩散装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122743056.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-10
授权号 ：
CN216213296U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
熊敏董旭赵迎春
申请人 ：
苏州镓港半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市高新技术开发区福新路2号
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
陆颖
优先权 ：
CN202122743056.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/223
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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