冷却装置及具有其的半导体扩散设备
公开
摘要
本申请属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种冷却装置及具有其的半导体扩散设备。所述冷却装置包括：壳体，所述壳体内形成有容纳扩散炉体的容纳空间，所述扩散炉体内容纳有晶圆；至少两个喷射口，至少两个所述喷射口沿所述扩散炉体的长度方向均匀设置在所述壳体上，至少两个所述喷射口与所述容纳空间连通，至少两个所述喷射口用于向所述扩散炉体喷射冷却介质。根据本发明的冷却装置，使冷却介质通过沿扩散炉体的长度方向设置的至少两个喷射口分别向扩散炉体喷射，以冷却介质通过不同的喷射口直接对扩散炉体进行冷却，从而保证扩散炉体的不同位置的冷却速度，至少两个喷射口均匀布置在壳体上，使扩散炉体及其内部的晶圆冷却均匀。
基本信息
专利标题 ：
冷却装置及具有其的半导体扩散设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628275A
申请号 ：
CN202011443033.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金东盱李殷廷李亭亭项金娟蒋浩杰熊文娟田光辉
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晶
优先权 ：
CN202011443033.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
