具有提供阱电势的阱接触扩散区的半导体装置
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种具有提供阱电势的阱接触扩散区的半导体装置。本文公开了一种设备，其包括：第一扩散区，所述第一扩散区在第一方向上延伸；第二扩散区，所述第二扩散区布置在所述第一方向上；第一金属线，所述第一金属线与所述第一扩散区重叠；第二金属线，所述第二金属线各自与所述第二扩散区中相关联的一个第二扩散区重叠；第三金属线，所述第三金属线与第一和第二金属线重叠；第一接触插头，所述第一接触插头将所述第一金属线路连接至所述第一扩散区；第二接触插头，所述第二接触插头各自将所述第二金属线中相关联的一条第二金属线电连接到所述第二扩散区中相关联的一个第二扩散区；以及第三接触插头，所述第三接触插头各自将所述第三金属线电连接到所述第二金属线中相关联的一条第二金属线。
基本信息
专利标题 ：
具有提供阱电势的阱接触扩散区的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551434A
申请号 ：
CN202111325661.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石松萌远藤清孝清水崇成
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111325661.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/092 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211110
申请日 : 20211110
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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