离子阱
授权
摘要
一种离子阱，应用于离子阱技术领域，包括：磁场发生装置、光场发生装置和可变电场发生装置，磁场发生装置，用于产生离子所需的约束磁场，光场发生装置，用于产生形状可变的光场，可变电场发生装置，用于通过该光场，利用光伏效应，产生可变约束电场，该可变约束电场的电势分布与该光场分布一致，以通过该约束磁场和该可变约束电场分别操控每个离子，可任意束缚和操控每个离子。
基本信息
专利标题 ：
离子阱
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020149983.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-23
授权号 ：
CN211788898U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
林毅恒李岳肖正国杜江峰
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
方丁一
优先权 ：
CN202020149983.6
主分类号 ：
H01J3/04
IPC分类号 ：
H01J3/04 H01J3/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J3/00
通用于两种或两种以上基本类型的放电管或灯的电子光学或离子光学装置的零部件或离子阱的零部件
H01J3/04
离子枪
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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