具有接触的深阱区域的晶体管
授权
摘要
公开了涉及主体接触式晶体管的各种方法和设备。一种示例性方法包括在半导体晶片的平坦表面上形成栅极。所述栅极覆盖具有第一导电类型的沟道，所述第一导电类型与第二导电类型相反。所述方法还包括：使用所述栅极遮蔽主体掺杂剂剂量，在所述栅极的源极侧上植入所述主体掺杂剂剂量。所述主体掺杂剂剂量扩散到所述沟道下方以形成深阱。所述主体掺杂剂剂量具有所述第一导电类型。所述方法还包括：在植入所述主体掺杂剂剂量之后，在所述栅极的所述源极侧上植入源极掺杂剂剂量以形成源极。所述方法还包括形成源极接触件，所述源极接触件在所述半导体晶片的所述平坦表面处与所述深阱接触。
基本信息
专利标题 ：
具有接触的深阱区域的晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107667417A
申请号 ：
CN201680029687.9
公开（公告）日 ：
2018-02-06
申请日 ：
2016-05-31
授权号 ：
CN107667417B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
G.伊姆特恩
申请人 ：
斯兰纳亚洲有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邱军
优先权 ：
CN201680029687.9
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225 H01L21/283 H01L29/06 H01L29/10 H01L29/40 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2018-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/225
申请日 : 20160531
申请日 : 20160531
2018-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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