具有合并的有源区域的垂直晶体管
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摘要
一种用于具有垂直晶体管的器件布局(10)的方法，包括在具有垂直晶体管的半导体器件的布局(10)中识别有源区域(18，28)。确定具有相同电位的多组相邻有源区域(18，28)。基于一个或多个性能标准对要合并的多组相邻有源区域(18，28)进行优先级排序。根据优先级合并多组相邻有源区域(18，28)以形成更大的有源区域。
基本信息
专利标题 ：
具有合并的有源区域的垂直晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109964318A
申请号 ：
CN201780067239.2
公开（公告）日 ：
2019-07-02
申请日 ：
2017-10-25
授权号 ：
CN109964318B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
B·A·安德森A·朱金成东T·胡克
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN201780067239.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 G06F17/50
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法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-07-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171025
申请日 : 20171025
2019-07-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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