具有双晶体管垂直存储器单元及共享沟道区域的存储器装置
公开
摘要
一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：第一数据线，其位于所述设备的第一层级中；第二数据线，其位于所述设备的第二层级中；第一存储器单元，其位于所述设备的处于所述第一层级与所述第二层级之间的第三层级中，所述第一存储器单元包含耦合到所述第一数据线的第一晶体管及耦合于所述第一数据线与所述第一晶体管的电荷存储结构之间的第二晶体管；及第二存储器单元，其位于所述设备的处于所述第一层级与所述第二层级之间的第四层级中，所述第二存储器单元包含耦合到所述第二数据线的第三晶体管及耦合于所述第二数据线与所述第三晶体管的电荷存储结构之间的第四晶体管，所述第一晶体管与所述第三晶体管串联耦合于所述第一数据线与所述第二数据线之间。
基本信息
专利标题 ：
具有双晶体管垂直存储器单元及共享沟道区域的存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303241A
申请号 ：
CN202080060547.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
K·萨尔帕特瓦里K·M·考尔道D·V·N·拉马斯瓦米刘海涛
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202080060547.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/11556 H01L29/788 G11C11/401 G11C11/404
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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