单元接触结构与存储器
授权
摘要
本公开是关于一种单元接触结构与存储器。该单元接触结构包括衬底、介质层、半导体层和导电层，介质层设于所述衬底的表面上，所述介质层包括阵列状的单元孔洞，所述孔洞底部暴露所述衬底；半导体层设于所述孔洞内的所述衬底的表面上，所述半导体层远离所述衬底的一面为第一曲面；导电层设于所述半导体层的所述第一曲面上。本公开提供的单元接触结构，单元接触结构中的接触电阻较低。
基本信息
专利标题 ：
单元接触结构与存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920570982.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-24
授权号 ：
CN209544306U
授权日 ：
2019-10-25
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201920570982.6
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108 H01L21/768 H01L23/528 H01L23/532
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2019-10-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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