阻性存储器单元和存储器器件
授权
摘要
本公开涉及阻性存储器单元和存储器器件。阻性存储器单元包括相变材料的相变层；阻性元件，与相变材料相接触；以及双向阈值开关，不具有与相变材料的物理接触，阻性元件被放置在双向阈值开关与相变层之间。
基本信息
专利标题 ：
阻性存储器单元和存储器器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921543373.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN211182247U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
P·波伊文
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
张宁
优先权 ：
CN201921543373.8
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
相关图片
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211182247U.PDF
PDF下载
