具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器...
公开
摘要
一种存储器件包括存储器单元，该存储器单元包括底电极，顶电极以及设于所述底电极和所述顶电极之间的介电层。所述底电极具有第一宽度W1。所述顶电极具有顶面，该顶面具有介于该顶面的两边缘之间的第二宽度W2。所述存储器单元具有从所述底电极的底面延伸至所述顶电极的顶面的第一高度H1。所述存储器件还包括与所述顶电极连接的顶部接触导线。该顶部接触导线具有宽度为第三宽度W3的顶面、处于两个相邻存储器单元之间的第二高度H2以及延伸于所述顶部接触导线的顶面与所述绝缘层之间的第三高度H3，其中，W1>W3>W2，而且H2>H1>H3。
基本信息
专利标题 ：
具有防止存储器件内形成空洞的改进式存储器单元结构的存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365299A
申请号 ：
CN202080017725.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-08-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
二宫健生
申请人 ：
合肥睿科微电子有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市合肥市高新区创新产业园二期F4栋11楼
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202080017725.5
主分类号 ：
H01L43/12
IPC分类号 ：
H01L43/12
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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