存储器及其形成方法

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摘要

本发明提供了一种存储器及其形成方法。将字线的端部延伸至周边区中，并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接，从而可以充分利用周边区的空间以在周边区中制备接触插塞，有利于增大各个接触插塞的尺寸，有效降低接触插塞的制备难度，相应的提高了接触插塞和字线之间的连接性能。并且，本发明还使形成在衬底上的介质层呈现为具有多层膜层的堆叠层，从而有利于降低所构成的介质堆叠层的应力。

基本信息

专利标题：

存储器及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111640756A

申请号：

CN202010209607.6

公开（公告）日：

2020-09-08

申请日：

2020-03-23

授权号：

CN111640756B

授权日：

2022-05-31

发明人：

詹益旺李甫哲林刚毅黄永泰童宇诚蔡振文

申请人：

福建省晋华集成电路有限公司

申请人地址：

福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司

代理人：

王宏婧

优先权：

CN202010209607.6

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108