存储器器件及其形成方法
公开
摘要
提供一种存储器器件及其形成方法。存储器器件包括衬底、多层堆叠、多个存储单元以及多个导电接触窗。衬底包括阵列区与阶梯区。多层堆叠配置在阵列区中的衬底上，其中多层堆叠的端部在阶梯区上延伸以成形为阶梯结构。多个存储单元分别设置在阵列区中的多层堆叠的侧壁上，且至少沿多层堆叠的堆叠方向排列。多个导电接触窗分别位于阶梯结构上。至少两个导电接触窗彼此电性连接。
基本信息
专利标题 ：
存储器器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464628A
申请号 ：
CN202111195967.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨柏峰杨世海吕士濂黄家恩王奕林佑明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号（邮递区号30078）
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛恒
优先权 ：
CN202111195967.6
主分类号 ：
H01L27/11597
IPC分类号 ：
H01L27/11597 H01L27/1159 G11C5/02
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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