形成具有浮栅的非易失性存储器件的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的实施例涉及用于形成非易失性存储器件的方法。提供具有单元区、第一外围区和第二外围区的衬底。在单元区中的衬底上形成隧道绝缘层。在单元区中的隧道绝缘层上形成初步浮栅。在单元区、第一外围区和第二外围区中的衬底上形成阻挡绝缘层。在单元区、第一外围区和第二外围区中的阻挡绝缘层上形成导电层。除去第一和第二外围区中的导电层和阻挡绝缘层，以露出第一和第二外围区中的至少部分衬底。在第一和第二外围区的露出衬底上分别形成第一和第二栅绝缘层。在单元区、第一外围区和第二外围区中的衬底上形成不掺杂的硅层。用第一导电类型的杂质掺杂第一外围区中的不掺杂硅层。用第二导电类型的杂质掺杂第二外围区中的不掺杂硅层。
基本信息
专利标题 ：
形成具有浮栅的非易失性存储器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790679A
申请号 ：
CN200510118186.1
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
权旭炫
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200510118186.1
主分类号 ：
H01L21/8247
IPC分类号 ：
H01L21/8247 H01L21/8246 H01L21/8239
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-19 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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