非易失性存储器件和非易失性存储系统
公开
摘要
提供了一种非易失性存储器件和一种非易失性存储系统，所述非易失性存储器件包括：衬底，沿第一方向延伸；接地选择线，在所述衬底上沿所述第一方向延伸；多条字线，顺序地堆叠在所述接地选择线上并沿所述第一方向延伸；定位焊盘，在所述第一方向上与所述接地选择线和所述多条字线间隔开；后接触插塞，连接到所述定位焊盘的下表面并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；前接触插塞，连接到所述定位焊盘的与所述下表面相对的上表面并且沿所述第二方向延伸；输入/输出焊盘，电连接到所述后接触插塞；以及上接合焊盘，电连接到所述前接触插塞并且连接到所述非易失性存储器件的多个电路元件中的至少一部分电路元件。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器件和非易失性存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284294A
申请号 ：
CN202111045455.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-09-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安在昊金智源黄盛珉任峻成成锡江
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111045455.1
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 G11C5/02 G11C5/06
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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