非易失性聚合物双稳态存储器件
授权
摘要
本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1－xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。
基本信息
专利标题 ：
非易失性聚合物双稳态存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133494A
申请号 ：
CN200580047811.6
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2005-09-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金太焕金暎镐金宰浩郑载勋尹荣培林圣根
申请人 ：
三星电子株式会社;汉阳大学校产学协力团
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
黄启行
优先权 ：
CN200580047811.6
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2009-12-02 ：
授权
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100565885C.PDF
PDF下载
2、
CN101133494A.PDF
PDF下载
