非易失性半导体存储器件及其制造方法
授权
摘要
在例子实施例中，半导体衬底具有被多个沟槽分开的多个有源区。栅绝缘膜至少填充部分沟槽，以及在栅绝缘膜上形成导电栅膜。在例子实施例中，栅绝缘膜可以包括隧道绝缘膜、电荷存储膜以及阻挡绝缘膜。该例子实施例也可以包括场隔离膜，部分地填充半导体衬底的沟槽，以便有源区或衬底的上表面高于场隔离膜的上表面。
基本信息
专利标题 ：
非易失性半导体存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835240A
申请号 ：
CN200610007064.X
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李昌炫
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200610007064.X
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L21/8247
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2012-09-05 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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