本公开提供了一种半导体器件制造方法、半导体器件及存储器，属于半导体技术领域。该半导体器件制造方法包括提供半导体衬底；在半导体衬底上形成浅沟槽隔离结构和若干个间隔排布的凹槽，相邻两个凹槽之间形成衬底凸起；在半导体衬底表面沉积栅极氧化层，栅极氧化层覆盖凹槽和衬底凸起；在栅极氧化层上形成栅极结构，栅极结构包括第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构覆盖衬底凸起表面；在半导体衬底内形成源极和漏极。第一栅极结构覆盖衬底凸起表面，使得导电沟道呈弯曲结构，在纵向(垂直于半导体衬底方向)上延伸栅极氧化层和导电沟道的长度，通过调整不同的纵向深度，可提供不同电容参数的晶体管，同时可有效改善晶体管器件的短沟道效应。