半导体存储器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体存储器件的制造方法，包括：在半导体衬底的上方形成浮置栅极电极的工序；在上述浮置栅极电极的上方形成电极间绝缘膜的工序；利用第1自由基氮化在上述电极间绝缘膜的表面形成第1自由基氮化膜的工序；以及在上述第1自由基氮化膜上形成控制栅极电极的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855548A
申请号 ：
CN200510132970.8
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2005-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小泽良夫上冈功盐泽顺一
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
李峥
优先权 ：
CN200510132970.8
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L27/105 H01L21/336 H01L21/28 H01L21/8239
法律状态
2018-02-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20161229
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20161229
2009-06-10 ：
授权
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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