半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法
公开
摘要
提供了一种半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：外围电路结构，其具有页缓冲器组；网状的第一源极图案，其设置在外围电路结构上，该网状的第一源极图案具有多个开口；存储器单元阵列，其设置在网状的第一源极图案上；第二源极图案，其设置于网状的第一源极图案与存储器单元阵列之间；以及单元阵列侧焊盘图案，其设置在网状的第一源极图案与第二源极图案之间，从第二源极图案朝向网状的第一源极图案延伸，该单元阵列侧焊盘图案直接接合至网状的第一源极图案。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628396A
申请号 ：
CN202110843071.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-07-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李南宰
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110843071.8
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/11526 H01L27/11548 H01L27/11551 H01L27/11568 H01L27/11573 H01L27/11575 H01L27/11578
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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