半导体存储器装置及其制造方法
公开
摘要
本公开提供一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：第一源极层；第二源极层，第二源极层在第一源极层上；层叠物，层叠物在第二源极层上；沟道结构，沟道结构穿过层叠物和第二源极层；以及公共源极线，公共源极线穿过层叠物和第二源极层。第二源极层包括气隙和围绕气隙的导电层。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597218A
申请号 ：
CN202110690672.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-06-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李昌秀杨永镐金成淳金熙洙罗熙稌张民植
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110690672.X
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582 H01L27/11524 H01L27/11556
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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