半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种半导体结构制造方法、半导体结构及存储器，属于半导体技术领域。该半导体结构制造方法包括提供衬底；在衬底上形成下电极；在下电极表面形成电容介电层，电容介电层包括至少一层氧化锆层；对电容介电层进行微波退火处理，以改变氧化锆的晶相至四方晶相；在电容介电层表面形成上电极。本公开提供的半导体结构的制造方法，对电容介电层进行微波退火处理，微波退火处理可以改变氧化锆的晶相，使得氧化锆由单斜晶相转变为四方晶相，从而提高氧化锆的介电常数，提高半导体结构的电容量。本公开，在更不换电容介电层材料的基础上，仅仅通过微波退火处理使电容介电层的介电常数增加，该方法工艺简单、成本低，具有很高的应用价值。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335338A
申请号 ：
CN202011057546.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜永好
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN202011057546.2
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L21/8242 H01L27/108
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20200929
申请日 : 20200929
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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