存储器件、半导体器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括栅极结构，所述栅极结构包括在半导体衬底上的电荷存储层中的金属氮化物材料。该栅极结构设置于形成于半导体衬底上的第一掺杂剂区和第二掺杂剂区之间。该金属氮化物材料被构造以作为俘获电荷的俘获点。
基本信息
专利标题 ：
存储器件、半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832204A
申请号 ：
CN200610051480.X
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田尚勋金桢雨黄显相崔相武
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610051480.X
主分类号 ：
H01L29/792
IPC分类号 ：
H01L29/792 H01L21/336
法律状态
2009-12-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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