铁电存储器件及其制造方法、半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
在形成在铁电电容器的下部电极下方的自取向膜与其下方的导电插塞之间，形成厚度在10nm以下的薄SiOCH膜，从而阻断导电插塞中的晶粒取向对所述自取向膜的影响，并且在对所述SiOCH膜表面进行氮化处理，从而避免了，自取向膜中的金属元素被氧化膜表面的氧俘获从而不会发现初始的自取向特性的问题。
基本信息
专利标题 ：
铁电存储器件及其制造方法、半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101278391A
申请号 ：
CN200580051763.8
公开（公告）日 ：
2008-10-01
申请日 ：
2005-10-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐次田直也
申请人 ：
富士通株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
张龙哺
优先权 ：
CN200580051763.8
主分类号 ：
H01L21/8246
IPC分类号 ：
H01L21/8246 H01L27/105 H01L21/822 H01L27/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8246
只读存储器结构
法律状态
2021-09-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8246
申请日 : 20051003
授权公告日 : 20100203
终止日期 : 20201003
申请日 : 20051003
授权公告日 : 20100203
终止日期 : 20201003
2010-11-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101038220759
IPC(主分类) : H01L 21/8246
专利号 : ZL2005800517638
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市
号牌文件序号 : 101038220759
IPC(主分类) : H01L 21/8246
专利号 : ZL2005800517638
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横浜市
2010-11-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101038220760
IPC(主分类) : H01L 21/8246
专利号 : ZL2005800517638
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市
号牌文件序号 : 101038220760
IPC(主分类) : H01L 21/8246
专利号 : ZL2005800517638
变更事项 : 专利权人
变更前 : 富士通微电子株式会社
变更后 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县横浜市
变更后 : 日本神奈川县横浜市
2010-02-03 ：
授权
2008-12-10 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107
2008-11-26 ：
实质审查的生效
2008-10-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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