铁电存储器及制造方法及包括铁电存储器的电子设备
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种铁电存储器的制造方法，包括：在衬底上形成依次叠设的底电极和铁电层，其中，铁电层为掺杂的氧化铪基铁电层；在铁电层上形成顶电极，其中，所述顶电极为氮化钛材料的顶电极，在形成顶电极的过程中，通过调节氮气的流量，以调节顶电极中氮原子和钛原子的比率。该制造方法可以改善铁电存储器疲劳特性并提高铁电存储器的耐久性。本公开还提供一种铁电存储器及包括铁电存储器的电子设备。
基本信息
专利标题 ：
铁电存储器及制造方法及包括铁电存储器的电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512488A
申请号 ：
CN202210090285.7
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王艳党治伟罗庆吕舒贤陈美文
申请人 ：
北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区科创十街京东贝科技园11栋4层
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202210090285.7
主分类号 ：
H01L27/11502
IPC分类号 ：
H01L27/11502 H01L27/11507 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11502
具有铁电体存储器电容器的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11502
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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