铁电存储器用铁电薄膜电容

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容，该铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成；二氧化钛粘结层的厚度为10～30nm；下电极金属层的厚度为100nm～200nm；下缓冲层的厚度为5～20nm；铁电薄膜层的厚度为200nm～500nm；上缓冲层的厚度为100nm～200nm；上电极金属层的厚度为80nm～150nm；下缓冲层、上缓冲层的材料为LSMO超大磁电阻材料，铁电薄膜层的材料为掺Ta的PZT。本实用新型铁电薄膜电容疲劳速率小，漏电流较小。

基本信息

专利标题：

铁电存储器用铁电薄膜电容

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620157557.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-11-24

授权号：

CN200976351Y

授权日：

2007-11-14

发明人：

于军王耘波彭刚周文利高俊雄

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

代理机构：

华中科技大学专利中心

代理人：

朱仁玲

优先权：

CN200620157557.7

主分类号：

H01L27/115

IPC分类号：

H01L27/115