铁电电容器堆叠蚀刻清洗
发明专利申请公布后的驳回
摘要

本发明提供用于制造铁电电容器结构的方法(100),其包括用于蚀刻并清洗半导体装置中的经图案化的铁电电容器结构的方法(128)。所述方法包括:蚀刻(142)上部电极的一些部分,蚀刻(141)铁电材料,和蚀刻(142)下部电极,以界定经图案化的铁电电容器结构,以及蚀刻(143)下部电极扩散阻挡层结构的一部分。所述方法进一步包括:使用第一灰化过程灰化(144)所述经图案化的铁电电容器结构;在所述第一灰化过程之后执行(145)湿式清洗过程;及在所述湿式清洗过程之后在高温下在氧化环境中直接使用第二灰化过程灰化(146)所述经图案化的铁电电容器结构。

基本信息
专利标题 :
铁电电容器堆叠蚀刻清洗
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101416275A
申请号 :
CN200580047775.3
公开(公告)日 :
2009-04-22
申请日 :
2005-12-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
斯科特·R·萨默费尔特林赛·H·霍尔K·R·乌达亚库马尔西奥多·S·莫伊塞四世
申请人 :
德州仪器公司
申请人地址 :
美国得克萨斯州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
王允方
优先权 :
CN200580047775.3
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2012-09-05 :
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101449546964
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 2005800477753
公开日 : 20090422
2009-06-17 :
实质审查的生效
2009-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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