铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器
专利权的终止
摘要
一种铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器，所述铁电膜101由用通式(Pb1－dBid)(B1－aXa)O3表示的铁电膜构成，其中：B由Zr和Ti中的至少一方构成，X由Nb和Ta中的至少一方构成，a的范围为0.05≤a≤0.4，d的范围为0＜d＜1。根据本发明可以提供具有良好的滞后特性的铁电电容器、以及铁电存储器，此外还可以提供适用于铁电存储器和上述铁电电容器的铁电膜。
基本信息
专利标题 ：
铁电膜、铁电膜的制造方法、铁电电容器、以及铁电存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797771A
申请号 ：
CN200510134103.8
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
木岛健滨田泰彰古林智一宫泽弘
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510134103.8
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L29/92 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00 H01B3/02 H01G4/06 C01G1/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2021-12-03 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20201226
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20100113
终止日期 : 20201226
2010-01-13 ：
授权
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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