铁电畴阵列结构及其制备方法，及具有该结构的铁电膜
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摘要
本发明涉及一种铁电畴阵列结构，其包括：多个铁电畴结构，该多个铁电畴结构具有纳米级直径，且以三角密排方式排布于一铁电超薄膜内。本发明还提供该铁电畴阵列结构的制备方法，其通过向一铁电超薄膜施加一垂直于其表面的预定大小的电场，在该预定大小的外加电场的极化作用下，铁电超薄膜内的铁电畴可自组织生成一铁电畴阵列结构。该铁电畴阵列结构的制作工艺简单，且该铁电畴阵列结构中的铁电畴结构具有纳米级直径。另外，本发明还提供具有上述铁电畴阵列结构的铁电膜。
基本信息
专利标题 ：
铁电畴阵列结构及其制备方法，及具有该结构的铁电膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1937274A
申请号 ：
CN200510037511.1
公开（公告）日 ：
2007-03-28
申请日 ：
2005-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段文晖吴忠庆吴健顾秉林
申请人 ：
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请人地址 ：
100084北京市海淀区清华大学物理系
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510037511.1
主分类号 ：
H01L41/187
IPC分类号 ：
H01L41/187 H01L41/24 C04B35/00
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法律状态
2009-11-18 ：
授权
2007-05-23 ：
实质审查的生效
2007-03-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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