二维铁电半导体沟道铁电介电层场效应管及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种二维铁电半导体沟道铁电介电层场效应管及其制备方法，二维铁电半导体沟道铁电介电层场效应管，包括绝缘衬底，绝缘衬底上设置有石墨烯栅极，石墨烯栅极上分别设置有二维铁电介电层和金属栅极，二维铁电介电层上设置有二维铁电半导体沟道，二维铁电半导体沟道上分别设置有相互分隔的金属源极和金属漏极。本发明还包括上述二维铁电半导体沟道铁电介电层场效应管的制备方法。本发明通过将两种铁电体相互结合，在其界面处两者的束缚电荷会对退极化场进行电荷屏蔽，可以延长铁电体的剩余极化，有效解决了现有技术中难以实现稳定的非易失性存储和无法兼容硅基半导体制程等问题。

基本信息

专利标题：

二维铁电半导体沟道铁电介电层场效应管及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112968055A

申请号：

CN202110199409.0

公开（公告）日：

2021-06-15

申请日：

2021-02-23

授权号：

CN112968055B

授权日：

2022-06-10

发明人：

刘海石刘富才宋苗苗

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

李林合

优先权：

CN202110199409.0

主分类号：

H01L29/24

IPC分类号：

H01L29/24 H01L29/51 H01L29/66 H01L29/78 H01L21/44 H01L21/34