栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置
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摘要
本发明提供一种栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置，以及具有一氮化的栅极介电层的MOSFET与其制造方法。该制造方法包括提供一基板，并沉积一具有非高介电常数的介电材料于该基板上。该具有非高介电常数的介电材料包括两层。该介电材料的第一层邻近该基板，主要为不含氮的。该介电材料的第二层约含有1015atoms/cm3到1022atoms/cm3的氮。该MOSFET更包括一具有高介电常数的介电材料，形成于该具有非高介电常数的介电材料之上。该具有高介电常数的介电材料包括HfSiON、ZrSiON或氮化的Al2O3。在本发明的实施例中更揭露了核心区与周边区的不对称制造技术。
基本信息
专利标题 ：
栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815752A
申请号 ：
CN200510136869.X
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王志豪王大维陈尚志蔡庆威
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510136869.X
主分类号 ：
H01L29/51
IPC分类号 ：
H01L29/51 H01L29/78
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法律状态
2009-05-20 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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