形成介电膜的方法和介电膜
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明涉及一种由具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体制备包含Si、C、O和H原子的SiCOH介电材料的方法。所述具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体选自分子式为SiRR1R2R3的硅烷(SiH4)衍生物、分子式为R4R5R6Si-O-Si-R7R8R9的二硅氧烷衍生物、分子式为R10R11R12-Si-O-Si--R13R14-O-Si-R15R16R17的三硅氧烷衍生物,其中R和R1-17可以相同或不同,并选自H、烷基、烷氧基、环氧基、苯基、乙烯基、烯丙基、烯基或炔基,它们可以是直链、支链、环状、多环状的,并且可以被含氧、氮或氟的取代基官能化。除了上述方法,本申请还提供了由本发明方法制备的SiCOH电介质以及包含该电介质的电子结构。

基本信息
专利标题 :
形成介电膜的方法和介电膜
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1782125A
申请号 :
CN200510112743.9
公开(公告)日 :
2006-06-07
申请日 :
2005-10-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
S·源A·格里尔S·M·盖茨D·A·诺伊迈尔
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约
代理机构 :
北京市中咨律师事务所
代理人 :
林柏楠
优先权 :
CN200510112743.9
主分类号 :
C23C16/513
IPC分类号 :
C23C16/513  C23C16/22  C23C16/56  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2017-12-01 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 16/513
登记生效日 : 20171110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
2017-12-01 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C23C 16/513
登记生效日 : 20171110
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
2009-10-21 :
授权
2006-08-02 :
实质审查的生效
2006-06-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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