溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种根据本发明的溅射靶，其包括含NbOx和TiOx的氧化物烧结体，其中靶子中Ti原子的丰度比为包括两端值的70％～90％。优选地，所述氧化物烧结体具有不高于10Ω·cm的比电阻值。优选地，所述氧化物烧结体具有不大于7×10－6/K的热膨胀系数，以及不低于10×10－4cal/mm·K·sec的热传导率。
基本信息
专利标题 ：
溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1807680A
申请号 ：
CN200610006348.7
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
国定照房荻野悦男筏井正博
申请人 ：
日本板硝子株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
陈长会
优先权 ：
CN200610006348.7
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/08 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2008-09-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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