高介电常数低介电损耗膜
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
高介电常数低介电损耗膜，属于电气行业中制作电容器和绝缘材料的高分子聚合物共混薄膜材料。该高分子共混材料由聚丙烯和丁腈橡胶(腈含量26-35％)在混炼机中充分混合而制得，将制得的共混物破碎后模压或挤出压延以及双向拉伸制得各种符合规格的薄膜，经测试该薄膜的介电常数高达4.21，介电损耗低于3×10-3，且具有良好的加工性能，用本发明的薄膜制成的电容器，其体积减小54％。
基本信息
专利标题 ：
高介电常数低介电损耗膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1050462A
申请号 ：
CN90102967.X
公开（公告）日 ：
1991-04-03
申请日 ：
1990-10-22
授权号 ：
CN1016911B
授权日 ：
1992-06-03
发明人 ：
毛立钧陈家华
申请人 ：
同济大学
申请人地址 ：
200092上海市四平路1239号
代理机构 ：
同济大学专利事务所
代理人 ：
陈龙梅
优先权 ：
CN90102967.X
主分类号 ：
H01B3/30
IPC分类号 ：
H01B3/30 H01B3/28 H01G4/20
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B3/00
按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择
H01B3/18
主要由有机物质组成的
H01B3/30
塑料；树脂；蜡
法律状态
1994-12-07 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-01-27 ：
授权
1992-06-03 ：
审定
1991-04-03 ：
公开
1991-03-13 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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