一种具有低介电常数、低介电损耗的复合材料及其制备方法和应...
授权
摘要

本发明公开了一种具有低介电常数、低介电损耗的复合材料及其制备方法和应用,该复合材料包括含硫聚合物;该含硫聚合物由含硫碳一单体、环氧单体、酸酐在催化剂的作用下进行阴离子开环共聚反应制备得到;环氧单体选自三氟环氧丙烷、3‑(2,2,3,3‑四氟丙氧基)‑1,2‑氧化丙烯、六氟环氧丙烷、七氟丁基环氧乙烷、八氟戊氧基‑1,2‑氧化丙烯、九氟戊烷基环氧乙烷、全氟‑2‑甲基‑2,3‑环氧戊烷、十三氟庚基环氧乙烷、缩水甘油醚十六氟壬基醚、萘基缩水甘油醚、蒽基缩水甘油醚、偶氮苯基缩水甘油醚和联苯基缩水甘油醚。本发明公开的复合材料在高频下具有低介电常数、低介电损耗,且聚合物主链无吸水性基团,有望在5G手机天线材料领域获得广泛应用。

基本信息
专利标题 :
一种具有低介电常数、低介电损耗的复合材料及其制备方法和应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113372555A
申请号 :
CN202110708415.4
公开(公告)日 :
2021-09-10
申请日 :
2021-06-25
授权号 :
CN113372555B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
张兴宏冯展彬曹晓翰张旭阳
申请人 :
浙江大学
申请人地址 :
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 :
杭州知闲专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
朱朦琪
优先权 :
CN202110708415.4
主分类号 :
C08G75/14
IPC分类号 :
C08G75/14  C08L81/04  C08L83/04  C08L27/18  C08L27/16  C08K7/26  C08K3/04  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C08
有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G75/00
在高分子主链中,由形成含硫的键合,有或没有氮、氧,或碳键合反应得到的高分子化合物
C08G75/14
聚硫化合物
法律状态
2022-04-22 :
授权
2021-11-19 :
著录事项变更
IPC(主分类) : C08G 75/14
变更事项 : 发明人
变更前 : 张兴宏 冯展彬 曹晓翰 张旭阳
变更后 : 张兴宏 冯展彬 曹晓瀚 张旭阳
2021-09-28 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08G 75/14
申请日 : 20210625
2021-09-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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