一种包含低介电损耗层的复合吸波结构

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，包括吸波材料层、低介电损耗层，所述吸波材料层一侧贴合有双面胶层，所述双面胶层另一侧与低介电损耗层贴合在一起，所述低介电损耗层的另一侧贴合双面胶层，所述双面胶层外侧贴合一层离型膜。通过设置不同厚度的低介电损耗层可以调整吸波材料层与电磁干扰源之间的间距，使其对电磁干扰辐射的吸收和衰减达到最佳效果。此外，当低介电损耗层介于高频高速集成电路与吸波材料层之间时，可使吸波材料层对电路阻抗和信号传输的影响降至很低，同时还可以提供额外的绝缘保护。

基本信息

专利标题：

一种包含低介电损耗层的复合吸波结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921391025.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-26

授权号：

CN210537246U

授权日：

2020-05-15

发明人：

刘欣潘磊明

申请人：

苏州鑫澈电子有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市吴中区金枫南路198号博济创业园10号楼102

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201921391025.3

主分类号：

H05K9/00

IPC分类号：

H05K9/00