吸波结构
授权
摘要
本实用新型公开一种吸波结构，包括胚体、反射层和吸波层，所述胚体上设有周期性的凸起结构和/或凹陷结构，所述反射层设置在胚体上，并覆盖在所述凸起结构和/或凹陷结构上，所述吸波层设置在反射层上。本实用新型中的吸波结构简单，可在微米尺寸进行材料和结构的设计，精确度好，且具有质量轻，力学性能好，在2‑18GHz宽频段内具有优异的吸波效果。
基本信息
专利标题 ：
吸波结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921151008.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-22
授权号 ：
CN210986879U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
刘若鹏赵治亚林云燕李雪熊伟
申请人 ：
深圳光启尖端技术有限责任公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦4楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921151008.2
主分类号 ：
H05K9/00
IPC分类号 ：
H05K9/00
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法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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