形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法
授权
摘要
一种形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法，其是在降低热预算的情况下，降低电浆伤害及/或优先溅镀。此方法包括提供半导体基材，此半导体基材上至少包括下方的至少二半导体结构且此些半导体结构由一间隙分开；以及在不施加吸附偏压以夹持此半导体基材的情况下，根据高密度电浆化学气相沉积制程，形成前金属介电层于上述半导体结构上，以改善沟填能力并降低电浆伤害至先前的互补式金氧半导体元件。
基本信息
专利标题 ：
形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832125A
申请号 ：
CN200610007673.5
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈耀翔
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610007673.5
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/314
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2008-04-09 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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