化学气相沉积设备的气路结构及化学气相沉积设备
授权
摘要
本申请公开了一种化学气相沉积设备的气路结构及化学气相沉积设备，其中，化学气相沉积设备包括反应器和气路结构，气路结构用于对反应器的沉积腔通气。气路结构包括制程管道、清洁管道、连接件和吸气通道，制程管道配置为输送制程气体，清洁管道配置为输送清洁气体，连接件具有分别与沉积腔连通的第一通道和第二通道，第一通道和第二通道间隔设置，第一通道与制程管道连通，第二通道与清洁管道连通。吸气通道与沉积腔连通，吸气通道用于对沉积腔吸气，以阻挡清洁气体进入制程管道，降低清洁气体腐蚀制程管道的风险，提高可靠性。
基本信息
专利标题 ：
化学气相沉积设备的气路结构及化学气相沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122378402.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
CN216473473U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
卢山陈神星姜鼎黄荣
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐雯
优先权 ：
CN202122378402.3
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
