化学气相沉积系统
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摘要
一种化学气相沉积系统包括承载台、喷洒头、及网筛。承载台用以承载晶圆；喷洒头具有多个喷孔且连接等离子体产生部；网筛设置于喷洒头与承载台之间，并相对于喷洒头的喷孔。其中，由射频电源提供射频电压，而于喷洒头与承载台之间产生电场，使得等离子体产生部产生等离子体，由喷孔喷洒出等离子体，且于喷洒头与承载台之间的电场是由网筛所隔离，采用可隔离电场的网筛，电场不会全部直接经过晶圆，仅有低等离子体碰触晶圆表面，以对晶圆的等离子体轰击，避免晶圆的外延晶格表面遭受破坏。
基本信息
专利标题 ：
化学气相沉积系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922070872.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN211522317U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
钟瑞伦吴俊鹏
申请人 ：
吴俊鹏;陈纪宇
申请人地址 ：
中国台湾新竹市北区延平路一段261巷8弄18号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
董科
优先权 ：
CN201922070872.6
主分类号 ：
C23C16/513
IPC分类号 ：
C23C16/513 C23C16/455 C23C16/458
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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