化学气相沉积气体供应系统及设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种化学气相沉积气体供应系统及设备，所述气体供应系统包括多个气体注射器，每个所述气体注射器的侧壁上设有出口和至少一个通气孔。所述化学气相沉积设备包括反应腔、以及设置在所述反应腔内的所述的气体供应系统。本实用新型能够有效解决现有的化学气相沉积生产过程中由于气流不均匀造成的多晶薄膜厚度的均匀性差的问题。
基本信息
专利标题 ：
化学气相沉积气体供应系统及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920681837.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-14
授权号 ：
CN210560739U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
贾超超刘佑铭
申请人 ：
芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区中德生态园团结路2877号ICIC办公楼4楼
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈敏
优先权 ：
CN201920681837.5
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/24
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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