气相沉积装置
授权
摘要
本实用新型实施例提供了一种气相沉积装置，涉及半导体生产技术领域，所述气相沉积装置包括：反应腔体；设置于所述反应腔体中的射频装置和气体分配盘；与所述气体分配盘相对设置的加热器，用于在其上放置并加热利用所述等离子体沉积薄膜的晶圆；设置于所述加热器下方且与所述加热器固定连接的水平调整盘；设置于所述水平调整盘下方的自动高度调节机构，用于根据所述晶圆沉积的薄膜的厚度调节所述气体分配盘与所述加热器之间的距离。本实用新型实施例的技术方案中，通过根据薄膜的厚度自动调节气体分配盘与加热器之间的距离，使得晶圆的膜厚均匀性保持在稳定的区间。
基本信息
专利标题 ：
气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921387132.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-23
授权号 ：
CN210796617U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
吴天成张传洋
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201921387132.9
主分类号 ：
C23C16/52
IPC分类号 ：
C23C16/52
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/52
镀覆工艺的控制或调整
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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