气相沉积晶圆承载装置
授权
摘要
本实用新型气相沉积晶圆承载装置，包含至少一碟盘以及一大盘模块，碟盘中央设有一晶圆定位通孔、边缘设有一呈环状的衔接部；大盘模块具有碟盘槽以供碟盘定位，且该碟盘槽设有一环槽沟以供衔接部置入，环槽沟衔接一入气引道，入气引道相对于与环槽沟的衔接角度的切线方向分量大于径向方向分量，以引入气浮气体于环槽沟中施力于衔接部使碟盘悬浮及旋转，环槽沟衔接于一导出口，以供气浮气体排出，藉此使得晶圆的受热效果及成膜效果更为均匀。
基本信息
专利标题 ：
气相沉积晶圆承载装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022418333.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
CN213388890U
授权日 ：
2021-06-08
发明人 ：
吴铭钦刘峰
申请人 ：
苏州雨竹机电有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏虹中路39号2幢2楼西侧
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
王富强
优先权 ：
CN202022418333.X
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/52 H01L21/673
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-06-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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