气相沉积装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的气相沉积装置具有：具有在其上夹持基板的基板夹持面的基板夹持部件，和用于向基板上提供源气体的气流通道。该气流通道具有上璧和下壁。开孔部分设置在气流通道下壁。基板夹持部件的基板夹持面装入开口部分，同时在基板夹持面和开孔部分之间形成一个空间。提供一种用于减少气体通过开孔部分和基板夹持部件之间的空间泄漏的装置。对于这种结构，由于设置有用于减少气体通过开孔部分和基板夹持部件之间的空间泄漏的装置，因此气体流出的流导性降低，这又减少流出气体的量的变化。这导致具有长寿命和高发光效率的氮化物半导体元件的高产率生产。
基本信息
专利标题 ：
气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1766159A
申请号 ：
CN200510128301.3
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山田英司汤浅贵之荒木正浩阿久津仲男
申请人 ：
夏普株式会社;大阳日酸株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510128301.3
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00 C23C16/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-06-28 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
